买卖IC网 >> 产品目录43226 >> BSC050N03MS G MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8 datasheet 分离式半导体产品
型号:

BSC050N03MS G

库存数量:11,451
制造商:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
RoHS:无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
BSC050N03MS G PDF下载
产品目录绘图 Mosfets TDSON-8
标准包装 1
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 80A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 5 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 46nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 3600pF @ 15V
功率 - 最大 50W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerTDFN
供应商设备封装 PG-TDSON-8(5.15x6.15)
包装 标准包装
产品目录页面 1619 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 BSC050N03MSGINDKR
相关资料
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深圳市高创鑫电子科技有限公司 0755-23302980 曾小姐
  • BSC050N03MS G 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 1.14 1.14
    10 1.0224 10.224
    25 0.90192 22.548
    100 0.81168 81.168
    250 0.706416 176.604
    500 0.631272 315.636
    1,000 0.495996 495.996
    2,500 0.465936 1164.828